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PR overcut되면 ADI CD값이 목표값보다 작아지나요? 제가 실습에서 ADI CD측정을 할땐 위에서 아래로 내려보는 현미경을 썼는데 그러면 어차피 위에서 아래로 내려보면 제일 넓은 부분이 보이는 것 아닌가요? 그러면 PR의 윗부분이 과도하게 깎여도 PR의 아랫부분이 목표값에 가까우니까 ADI CD값은 목표값에 가까워야하는것 아닌가요..?? 만일 아니라면 에칭은 PR아래값을 기준으로 깎이니 skew값은 음수가 되나요?
2025.03.11
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안녕하세요 반도체 분야 소재 소자 연구 중인 석사 1년차입니다. (수도권 대학 화학공학 3.5/4.5-자대 대학원 진학) 연구에 대한 흥미와 더불어 랩 내 성과에 대해 불확실성이 있어 중퇴를 고민 중입니다. 인턴 1년 + 석사 1년 진행하여 공저자 3개(2개는 리비전 진행 중이며 하나는 곧 투고 예정입니다.)을 얻었으며 국내에서 열린 국제학회 1번 참여하였습니다. 2년동안 연구를 진행했어서 그런지 해당 랩 내 경험을 면접 때 풀어도 될지 궁금합니다.(석사 과정이라 칭하지 않고 인턴 기간이라 칭해도 될지 궁금합니다.)
안녕하세요. 반도체 직무를 희망하는 취업준비생입니다. 현재 막학기 재학 중이며 인턴·현장실습은 모두 탈락한 상황입니다. 이로 인해 상반기까지의 공백 기간을 어떻게 활용하는 것이 가장 합리적인지 고민 중입니다. 단순히 온라인 교육이나 자격증만 준비하기보다는 현장 경험을 병행하는 방향이 필요하다고 판단하였습니다. 최근 반도체 품질 검사(현미경 검사 중심) 아르바이트 공고를 확인하였고, 실제 공정 흐름과 불량 판정 기준을 경험할 수 있다는 점에서 의미가 있을 것으로 보아 지원한 상태입니다. 다만 해당 경험이 향후 반도체 품질/불량 분석/테스트/신뢰성 계열 직무 지원 시 실질적으로 도움이 되는지에 대해 확신이 서지 않아 조언을 구하고자 합니다. 멘토님들께 아래 사항에 대해 현실적인 의견을 부탁드립니다. 반도체 품질 검사 아르바이트 경험이 신입 지원 시 유의미한 현장 경험으로 인정받을 수 있는지 궁금합니다.
공정 기술 직무의 경우, 8대 공정 중 하나의 공정을 전담하여 해당 공정을 최적화 시켜 소자 수율 향상에 기여하는 직무로 알고있습니다. 그런데 입사를 위한 자기 소개서에 제가 학부 시절 진행한 연구에 대한 이야기를 쓰고있는데, 최적화 역량을 갖췄다는 이야기 뿐 아니라 해당 연구를 활용해서 이러 이러한 새로운 메커니즘의 소자 제안도 가능할 것 같다는 이야기도 써도 괜찮을까요? 소자 제안의 경우 공정 기술 직무와는 큰 연관이 없는 것 같아서 쓰게 되면 직무에 대한 이해도가 낮아보일까봐 걱정입니다.
안녕하세요 반도체 분야 소재 소자 연구 중인 석사 1년차입니다. (수도권 대학 화학공학 3.5/4.5-자대 대학원 진학) 연구에 대한 흥미와 더불어 랩 내 성과에 대해 불확실성이 있어 중퇴를 고민 중입니다. 인턴 1년 + 석사 1년 진행하여 공저자 3개(2개는 리비전 진행 중이며 하나는 곧 투고 예정입니다.)을 얻었으며 국내에서 열린 국제학회 1번 참여하였습니다. 2년동안 연구를 진행했어서 그런지 해당 랩 내 경험을 면접 때 풀어도 될지 궁금합니다.(석사 과정이라 칭하지 않고 인턴 기간이라 칭해도 될지 궁금합니다.)
안녕하세요. 반도체 직무를 희망하는 취업준비생입니다. 현재 막학기 재학 중이며 인턴·현장실습은 모두 탈락한 상황입니다. 이로 인해 상반기까지의 공백 기간을 어떻게 활용하는 것이 가장 합리적인지 고민 중입니다. 단순히 온라인 교육이나 자격증만 준비하기보다는 현장 경험을 병행하는 방향이 필요하다고 판단하였습니다. 최근 반도체 품질 검사(현미경 검사 중심) 아르바이트 공고를 확인하였고, 실제 공정 흐름과 불량 판정 기준을 경험할 수 있다는 점에서 의미가 있을 것으로 보아 지원한 상태입니다. 다만 해당 경험이 향후 반도체 품질/불량 분석/테스트/신뢰성 계열 직무 지원 시 실질적으로 도움이 되는지에 대해 확신이 서지 않아 조언을 구하고자 합니다. 멘토님들께 아래 사항에 대해 현실적인 의견을 부탁드립니다. 반도체 품질 검사 아르바이트 경험이 신입 지원 시 유의미한 현장 경험으로 인정받을 수 있는지 궁금합니다.
공정 기술 직무의 경우, 8대 공정 중 하나의 공정을 전담하여 해당 공정을 최적화 시켜 소자 수율 향상에 기여하는 직무로 알고있습니다. 그런데 입사를 위한 자기 소개서에 제가 학부 시절 진행한 연구에 대한 이야기를 쓰고있는데, 최적화 역량을 갖췄다는 이야기 뿐 아니라 해당 연구를 활용해서 이러 이러한 새로운 메커니즘의 소자 제안도 가능할 것 같다는 이야기도 써도 괜찮을까요? 소자 제안의 경우 공정 기술 직무와는 큰 연관이 없는 것 같아서 쓰게 되면 직무에 대한 이해도가 낮아보일까봐 걱정입니다.
답변 7
채택된 답변패턴형성 후 남은 패턴의 윗부분의 CD값을 읽으려는건지 또는 etch가 된 영역의 CD를 읽으려는건지 잘 모르겠습니다만 (문맥상 패턴 형성된 영역을 보시려는듯 합니다.) PR이 overcut이 되는 경우 ETCH를 할 때 TOP부분의 CD는 말씀하신대로 Target에 가까울지 모르나, 점점 깊게 파내려갈수록 profile이 원하는 깊이만큼 나오지 않거나, Vertical하게 향성되지 않을 가능성이 매우 높습니다. 또는 PR이 무너져 패턴불량이 생길 가능성도 있습니다. 실제로 SEM장비로 보더라도 깊이가 엄청 깊은 Profile이 아니면 Slope진 영역도 어느정도 보입니다. 경계를 어디로 잡느냐의 차이인데.. Vertical한 PR과 Overcut 된 PR의 패턴을 직접 비교해서 보시면 한방에 와 닿으실겁니더.
PR Overcut 관련 질문 답변 질문하신 분의 상황: * 전공: 신소재공학과 * 경험: ADI CD 측정 실습 (위에서 아래로 내려보는 현미경 사용) * 궁금증: * PR overcut 시 ADI CD 값이 목표값보다 작아지는지 여부 * 에칭 시 PR 아래 값을 기준으로 깎이는지 여부 * Skew 값이 음수가 되는지 여부 답변: 질문하신 내용에 대해 다음과 같이 답변드립니다. 1. PR Overcut과 ADI CD 값: * ADI CD (After Development Inspection Critical Dimension): 현상 후 측정된 패턴의 임계 치수를 의미합니다. * Overcut: PR (Photoresist) 패턴의 상단부가 과도하게 식각되는 현상을 의미합니다. * ADI CD 값 변화: PR overcut이 발생하면 PR 패턴의 상단부가 좁아지므로, 위에서 아래로 내려보는 현미경으로 측정 시 ADI CD 값은 목표값보다 작아질 수 있습니다. * 이유: 현미경은 가장 넓은 부분을 측정하지만, overcut으로 인해 상단부가 좁아지면 측정되는 부분이 실제 패턴의 하단부보다 좁아지기 때문입니다. 2. 에칭 기준과 Skew 값: * 에칭 기준: 에칭은 PR 패턴의 하단부를 기준으로 진행됩니다. * Skew: 패턴의 상단부와 하단부의 CD 차이를 의미합니다. * Skew 값 변화: PR overcut이 발생하면 상단부가 좁아지므로, skew 값은 음수가 됩니다. 3. 추가 설명: * 현미경 측정 방식: 질문자님께서 사용하신 현미경은 광학 현미경일 가능성이 높습니다. 광학 현미경은 빛의 회절 한계로 인해 미세한 패턴의 CD를 정확하게 측정하기 어려울 수 있습니다. * CD 측정 장비: 보다 정확한 CD 측정을 위해서는 주사 전자 현미경 (SEM)이나 원자력 현미경 (AFM)과 같은 고분해능 측정 장비를 사용합니다. * 공정 조건 최적화: PR overcut은 공정 조건 (예: 현상액 농도, 온도, 시간)을 조절하여 최소화할 수 있습니다. 결론: PR overcut은 ADI CD 값을 감소시키고 skew 값을 음수로 만들 수 있습니다. 따라서, 공정 조건을 최적화하여 overcut을 최소화하고, 정확한 CD 측정을 위해 적절한 측정 장비를 사용하는 것이 중요합니다. 추가 조언: * 반도체 공정 관련 서적이나 논문을 참고하여 PR overcut 및 CD 측정에 대한 이해를 높이세요. * 반도체 관련 학회나 세미나에 참석하여 최신 기술 동향을 파악하세요. * 학교 실험실이나 관련 기관에서 실습 기회를 통해 경험을 쌓으세요. 응원합니다! 채택부탁드립니다.
지원자님 안녕하세요~! PR overcut이 일어나면, ADI CD 값이 목표값보다 작아질 수 있습니다! 말씀하신 대로 위에서 아래로 내려보는 현미경을 사용하셨다면, 가장 넓은 부분이 보이는 게 맞아요~! 하지만, PR의 윗부분이 과도하게 깎이면, 그로 인해 PR 아랫부분의 형태가 제대로 유지되지 못할 수 있어요~! 결과적으로 ADI CD 값은 목표값보다 작아질 수 있답니다. 이 부분은 PR 윗부분이 제대로 깎이지 않으면, 전체적인 프로파일이 왜곡되기 때문이에요! 그리고 스큐 값에 대해서도 고민하신 것처럼, 에칭은 PR 아래 부분을 기준으로 진행되는데, 이때 스큐 값이 음수일 수도 있어요! PR이 과도하게 깎였을 때는 스큐 값이 음수로 나타날 수 있어요~! 즉, PR 윗부분의 과도한 깎임으로 인해 밑부분이 의도한 것보다 더 많이 남게 되면서 스큐 값이 음수로 나타나는 거죠! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~! 응원합니다~!
PR overcut이 발생하면 ADI CD값이 목표값보다 작아질 수 있습니다. PR의 윗부분이 과도하게 깎이면, 현미경으로 측정할 때 보이는 CD값은 실제 목표값보다 작게 나타날 수 있습니다. 이는 PR의 아랫부분이 목표값에 가까워도, 윗부분의 overcut이 전체 CD값에 영향을 미치기 때문입니다. 에칭 과정에서는 PR의 아랫부분을 기준으로 깎이므로, PR의 overcut이 있으면 에칭 후의 CD값도 영향을 받을 수 있습니다. 이로 인해 skew값이 음수가 될 가능성도 있습니다. 이는 PR의 overcut이 에칭 후의 패턴 형성에 영향을 미치기 때문입니다.
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2025.03.11
PR overcut이 발생하면 ADI CD값이 목표값보다 작아질 수 있습니다. 이는 PR의 윗부분이 과도하게 깎이기 때문입니다. 에칭 과정에서는 PR의 아랫부분을 기준으로 깎이므로, PR의 overcut이 있으면 에칭 후의 CD값도 영향을 받을 수 있으며, 이는 skew값이 음수가 될 가능성을 높일 수 있습니다.
